Невероятное-8: Русский «космический» чип для США страшнее атомной бомбы

Зеленоградский нанотехнологический центр сообщил о начале выпуска новой микросхемы 5344ХЕ025 — радиационно-стойкого бесконтактного датчика тока с линейным аналоговым и цифровым выходами.

Речь идет о чипе, предназначенном для контроля и регистрации электрического тока, как постоянного, так и переменного с полной гальванической развязкой измеряемой и измерительной цепей для использования в бортовой аппаратуре космических аппаратов. Это говорит о том, что наша страна вошла в клуб стран, способных производить радиационно-стойкую микроэлектронику.

Мало кто знает, что до 2022 года в России практически не выпускались «космические» чипы, которые, кстати, применяются в РЭБ, в том числе в окопных «глушилках», которые очень нужны фронту. Да и в беспилотниках они тоже нужны как воздух, прежде всего в РЛС ближнего действия, работающих в диапазоне частот 22−25 ГГц.

Мировой рынок радиационно-стойкой микроэлектроники контролируют американцы, которые буквально помешались на антироссийских санкциях. Впрочем, и до 2022 года янки ввели запрет на продажу нашей стране «космических» чипов. Но именно здесь у нас есть все предпосылки догнать США, причем в кратчайшие сроки.

Не секрет, что передовые технологические процессы производства микросхем 5−15 нанометров уязвимы к факторам космического пространства. На сегодня лучшие радиационно-стойкие чипы в Тайване изготавливаются по техпроцессу 65 нанометров, но в очень небольших объемах. Дело в том, что себестоимость этой микроэлектроники в сотни, а то и в тысячи раз превышает отпускную цену коммерческих «земных» моделей.

Объясняется это тем, что космос — это очень суровая среда для чипов. Помимо смертельной радиации, убийцами микросхем являются вибрация, сильные перепады температур, ЭМИ и запредельные перегрузки при запуске.

О том, как в реальности (а не в статьях наших всепропальщиков) обстоят дела с «космическими» чипами в США, рассказал научный эксперт Самуил Мур, редактор отдела полупроводников издания IEEE Spectrum.

Основным и по факту единственным предприятием Соединенных Штатов по выпуску радиационно-стойкой микроэлектроники является литейный завод SkyWater Technology в Блумингтоне (штат Миннесота), работающий строго для Министерства обороны, которое в свою очередь снабжает НАСА и другие частные «космические» компании, включая Илона Маска.

Ежедневно из казны США этому предприятию просто так — без всяких требований — перечисляется $ 170 млн. Плюс еще Пентагон покупает «космические» чипы по бешеным ценам, что и позволяет чипмейкеру развиваться не по рыночным механизмам (плевок в сторону иуды Чубайса).

По словам Самуила Мура, основная линейка радиационно-стойкой микроэлектроники завода SkyWater производится по 350 (!!!) нм техпроцессу на 150-миллиметровых кремниевых пластинах, который впервые был применен компанией Intel еще в 1994 году. С 2023 года монополист стал переходить на 200 мм диски. Но причина кроется не в снижении себестоимости, как кажется на первый взгляд.

Главный технолог SkyWater Майкл Холмс пояснил: «Не столько с объемом, сколько с цепочкой поставок. Инструменты, предназначенные для 150-миллиметровых пластин, и детали, необходимые для обслуживания этих инструментов, становится все труднее добывать». Он пояснил, что «пока фабрика производит чипы по старому процессу», поскольку новый (на 200 мм пластинах) потребует серьезной модернизации, связанной с перестройкой химических рецептур, настройкой сотен параметров процесса и с обширным тестированием.

Прямо сейчас янки приступают к отдельной модернизации, результатом которой станет 180-нм радиационно-стойкий технологический процесс, который существенно удвоит плотность транзисторов в чипах для ядерного оружия. Отдельно Пентагон выделяет для SkyWater Technology Foundry засекреченный объем денег на разработку 90-нанометрового технологического процесса для радиационно-стойких чипов и расширения возможностей производства медных межсоединений.

С медными соединениями, как пояснил Майкл Холмс, придется помучиться, а без них нельзя перейти к «65 и 45 нм». Вопреки болтунам, которые орут об огромных людских ресурсах, необходимых для научных прорывов, в команде разработчиков работает персонал численностью 50 человек, но все на вес золота. Других в США попросту нет.

А что у нас? В начале сентября в рамках ВЭФ министр промышленности и торговли РФ Антон Алиханов сообщил, что в рамках реализации дорожной карты по созданию отечественного фотолитографического оборудования уровня 350−90 нм в 2026 году будет создан литограф для работы на топологиях 130 нм.

Позитивно, что все идет по плану: прошедшим летом без громких слов и в соответствии с планом подошел к концу 3 этап, в ходе которого на специализированной площадке «ЗНТЦ» завершилась отработка (!!!) базового технологического процесса на опытном образце установки с топологическими нормами 350 нм.

Для подтверждения работоспособности русского литографа были проведены технологические испытания тестовых структур, изготовленных на опытном образце, а затем выполнена его наладка. Работы, кстати, ведутся совместно с белорусской компанией ОАО «Планар».

Как пояснил пресс-центр «ЗНТЦ», до конца года планируется завершить очередной этап, в том числе провести предварительные и приемочные испытания опытного образца установки, а также разработать комплект рабочей технологической документации на БТП для серийного оборудования.

Одновременно разрабатывается установка с разрешением 130 нм, в частности, ООО «Лассард» разработан эксимерный лазерный источник для степпера, завершены приемочные испытания. Эти работы завершатся в 2026 году.

Понятно, за русскими литографами на мировом рынке выстроится очередь, поскольку янки «люто жмотятся» и не разрешают голладцам из ASML продавать оборудование третьим странам, прежде всего Северной Корее и Ирану.

Ох, как дорого американцам обойдется поддержка бандеровцев, считают независимые научные эксперты США.

---

Невероятное-7: Автоматическая «Ласточка» раздавила американский «хайтек»

Невероятное-6: Россия начала гонку за Apple — но пошла другим путем

Невероятное-5: Российский «метеоритный» прорыв в силовой электронике